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HYG090P03LA1C1

单P沟道增强型MOSFET P沟道耐压:30V 电流:40A

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描述: 特性：30V / -40A，Rds(on)= 7.9 mΩ（典型值）@VGS = -10V。 Rds(on)= 10.5 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。锂电池保护板
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG090P03LA1C1
商品编号: C2904445
商品封装: DFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.125克(g)

商品参数

采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻Rds(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。