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HYG014N03LR1P
N沟道 耐压:30V 电流:275A
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- 描述
- 特性：30V/275A，RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON)=1.6mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。应用：电池保护。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG014N03LR1P
- 商品编号
- C2904121
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 275A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 182.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.066nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.192nF |
商品特性
- 30V/275A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.3mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 1.6mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-电池保护-逆变器系统电源管理
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