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HYG080ND03LA1S
2个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 特性：30V/11A，RDS(ON) = 9.5 mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 12.5 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：直流-直流开关应用的电源管理。 无线电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG080ND03LA1S
- 商品编号
- C2904122
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP50N06K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻[RDS(ON)]，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 60V，漏极电流（ID）= 50A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，导通电阻[RDS(ON)] < 20mΩ（典型值：13mΩ）
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用-LED背光-不间断电源
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