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3253ESA/T

高压栅半桥驱动

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描述: 相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
品牌名称: VP(中芯集成)
商品型号: 3253ESA/T
商品编号: C336590
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.216克(g)

商品参数

商品概述

3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。同时，通过降低栅极驱动的di/dt的峰值，欠压闭锁阈值的迟滞电压为1V，使电路的抗噪声性能有大幅度提高。芯片的Latch-up和ESD性能良好。

商品特性

内部集成600V高压半桥驱动器
VCC到COM之间有16.1V钳位齐纳管
超低启动电流
内部死区时间控制，并且随着温度变化死区时间变化很小
CT管脚实现保护关断功能
增加欠压保护的迟滞电压（1V）
启动阶段VLO和VHO输出脉冲宽度恒定
更低的栅极驱动峰值（di/dt）以提高抗干扰能力
低压输出端信号逻辑和RT端相同
绿色无铅产品

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	工作电压	10V~16.8V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	45ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-25℃~+125℃
	静态电流(Iq)	500uA