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UCC21220DR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21220DR

具有高噪声抗扰度的双通道基本隔离式和功能隔离式栅极驱动器

描述
UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ,借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出;INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态;输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns,所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能,有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能,这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性,适用于多种电源应用。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21220DR
商品编号
C2878023
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)3000
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
上升时间(tr)16ns
属性参数值
下降时间(tf)12ns
传播延迟 tpLH40ns
传播延迟 tpHL40ns
输入高电平(VIH)1.6V~2V
输入低电平(VIL)0.8V~1.25V
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)100kV/us
驱动侧工作电压9.2V~18V

商品概述

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ,借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出;INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态;输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns,所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能,有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。

凭借这些功能,这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性,适用于多种电源应用。

商品特性

  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于100V/ns
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数:40ns 最大传播延迟
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 5.5ns 最大脉宽失真
  • 35μs 最大VDD 上电延迟
  • 高达18V 的VDD 输出驱动电源
  • 5V 和8V VDD UVLO 选项
  • 工作温度范围 (TA) -40°C 至125°C
  • 窄体SOIC-16 (D) 封装
  • 抑制短于5ns 的输入脉冲
  • TTL 和CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证:符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和DIN EN 61010-1 标准的4242VPK 隔离(计划)
  • 符合UL 1577 标准且持续时长为1 分钟的3000VRMS 隔离
  • 符合GB4943.1-2011 标准的CQC 认证(计划)

应用领域

  • 服务器电源
  • 光伏逆变器、光伏电源优化器
  • 电信砖型转换器
  • 无线基础设施
  • 工业运输和机器人