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UCC21222DR
UCC21222DR
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- 描述
- 具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21222DR
- 商品编号
- C2878024
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 半桥；低边；高边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3000 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+130℃@(Tj) | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 40ns | |
| 传播延迟 tpHL | 40ns | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.25V | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| 驱动侧工作电压 | 9.2V~18V |
商品概述
UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流来驱动功率MOSFET、IGBT 和GaN 晶体管。 UCC21222 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。 输入侧通过一个3.0kV RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI) 的最小值为100V/ns。 可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于5ns的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行200ns 的负电压处理。所有电源都有UVLO保护。
商品特性
- 可通过电阻器编程的死区时间
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- 3V 至5.5V 输入VCCI 范围，高达18V 的VDD 输出驱动电源，8V VDD UVLO
- 开关参数：28ns 典型传播延迟，10ns 最小脉冲宽度，5ns 最大延迟匹配度，5.5ns 最大脉宽失真度，TTL 和CMOS 兼容输入
- 集成抗尖峰滤波器
- I/O 承受 -2V 电压的时间达200ns
- 共模瞬态抗扰度(CMTI) 大于100V/ns
- 隔离栅寿命大于40 年
- 浪涌抗扰度高达7800V PK
- 窄体SOIC - 16 (D) 封装
- 安全相关认证（计划）：符合DIN V VDE V 0884 - 11:2017 - 01 和DINEN 61010 - 1 标准的4242V PK隔离，符合UL 1577 标准且长达1 分钟的3000V RMS隔离，获得CSA 认证，符合IEC 60950 - 1、IEC62368 - 1 和IEC 61010 - 1 终端设备标准，符合GB4943.1 - 2011 的CQC 认证
- 使用UCC21222 并借助WEBENCH电源设计器创建定制设计方案
应用领域
- 交流/直流和直流/直流电源中的隔离转换器
- 服务器、电信、IT 和工业基础设施
- 电机驱动器和光伏逆变器
- HEV 和EV 电池充电器
- 工业运输
- 不间断电源(UPS)