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ISO5451DWR实物图
  • ISO5451DWR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISO5451DWR

ISO5451DWR

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描述
ISO5451 具有有源保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
ISO5451DWR
商品编号
C2878550
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.608114克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5700
负载类型IGBT;MOSFET
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)2.5A
灌电流(IOL)5A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
属性参数值
上升时间(tr)35ns
下降时间(tf)37ns
传播延迟 tpLH110ns
传播延迟 tpHL110ns
静态电流(Iq)4.5mA
CMTI(kV/us)50kV/us
驱动侧工作电压15V~30V

商品概述

ISO5451 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。 内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 V_EE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。 当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。 如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极。

商品特性

  • 在 VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 50kV/μs,典型值为 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短传播延迟:76ns(典型值),110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并通过 RST 复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 3V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
  • 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 工作温度: -40℃ 至 +125℃(环境温度)
  • 可耐受的浪涌隔离电压高达 10000Vₚₖ
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V0884-10):2006-12 标准的 8000Vₚₖ VIOTM 和 1420Vₚₖ VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700Vrms 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • 经 GB4943.1-2011 CQC 认证

应用领域

  • 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器
  • 工业电机控制驱动
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • HEV 和 EV 电源模块
  • 感应加热

优惠活动

购买数量

(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2000个/圆盘

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