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TXS4558RUKR

具有电平转换器和专用双LDO的双SIM卡电源

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描述: 双 SIM 卡电源，配备电平转换器和专用双路 LDO 20-WQFN -40 to 85
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TXS4558RUKR
商品编号: C2876377
商品封装: WQFN-20-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

商品概述

TXS4558是一款完整的双电源待机智能身份模块(SIM)卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的SIM用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。这是一款定制器件，用于把单个SIM/UICC接口扩展至能够支持两个SIM/UICC（通用集成芯片卡）。该器件不但符合ISO/IEC智能卡接口要求，而且还支持GSM与3G移动标准。它包含能够支持Class B(2.95V)与Class C(1.8V)接口的高速电平转换器、低压降(LDO)稳压器，可在2.95V Class B与1.8V Class C接口之间选择输出电压。简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。电压电平转换器具有两个电源电压引脚。VCC负责设定用于基带接口的基准，并可采用1.65V至3.3V的工作电压。VSIM1和VSIM2被设置为1.8V或2.95V，各由一个独立的内部LDO稳压器供电。集成型LDO可接受2.3V至5.5V的输入电池电压，并向B侧电路及外部Class B或Class C SIM卡输出高达50mA的电流。此外，TXS4558还根据SIM卡的ISO7816-3规范为SIM卡引脚整合了关断定序功能。该器件不但可为SIM引脚提供8kV HBM保护，而且还可为所有其它引脚提供标准2kV HBM保护。集成在TXS4558内部的LDO可实现超宽带宽和高环路增益，在极低裕量(VBAT - VSIM1/2)下可获得极高的PSRR，提供1.8V或2.95V固定稳压。低噪声、GPIO使能和低接地引脚电流，适合便携应用。该器件提供过流限制和热保护，全规格工作温度范围为-40℃ 至 125℃。

商品特性

集成电平转换器
VCC电压范围为1.65 V 至 3.3 V
VBATT电压范围为2.3 V 至 5.5 V
集成低压降(LDO)稳压器
50mA LDO调节器支持1.8V或2.95V可选输出电压
50mA输出下压降最大值为100mV
通过GPIO接口与基带处理器实现控制和通信
支持SIM1和SIM2卡的分离时钟停止模式
ESD保护等级超过JESD 22标准的要求
支持2000V人体模式(A114-B) ESD防护
支持500V充电设备模式（C101）ESD防护
SIM引脚ESD防护达到8kV HBM
采用20引脚QFN (3mm×3mm)封装
裸露的中心散热焊盘必须电接地

应用领域

移动手机双SIM卡应用
便携式应用

	属性	参数值
	商品目录	转换器/电平移位器
	通道类型	双向
	工作电压(VCCA)	1.7V~3.3V
	工作电压(VCCB)	2.3V~5.5V
	元件数	1
	每个电路通道数	6

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	集成上拉电阻
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	接口类型	-
	芯片类型	电平转换器