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BRD50N06

停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRD50N06
商品编号
C328290
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)85W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.365nF
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)600pF

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.

商品特性

  • 低 RDS(on)
  • 低门电荷
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • Low RDS(on)
  • low gate charge
  • low Crss
  • fast switching

应用领域

  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC 转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
  • Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.

数据手册PDF