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BR4953D-A

2个P沟道 耐压:20V 电流:3A

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描述
SOP-8 塑封封装双P 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BR4953D-A
商品编号
C328565
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.168克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)415pF
反向传输电容(Crss)84pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)223pF

商品概述

SOP-8 塑封封装双P 沟道MOS 场效应管。Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package.

商品特性

  • 超高密度设计,导通电阻小,可靠性好。
  • Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable.

应用领域

  • 用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
  • Power Management in Notebook computer, Portable Equipment and Battery powered systems.

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个4000个/圆盘

总价金额:

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