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BR4953D-A
2个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- SOP-8 塑封封装双P 沟道MOS 场效应管。
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BR4953D-A
- 商品编号
- C328565
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 223pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装双P 沟道MOS 场效应管。Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package.
商品特性
- 当 VGS 为 -1.8 V、ID 为 -1.5 A 时，RDS(ON) 为 200 mΩ
- 当 VGS 为 -4.5 V、ID 为 -2.2 A 时，RDS(ON) 为 105 mΩ
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 专为 DC/DC 转换器设计
- 低栅极电荷
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）
应用领域
- 用于电源管理，便携式设备和电池供电系统。
- Power Management in Notebook computer, Portable Equipment and Battery powered systems.