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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRD100N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRD100N03
商品编号
C328551
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)65nC@5V
输入电容(Ciss)9.5nF
反向传输电容(Crss)300pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

TO-252 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 低栅电荷
  • 低反馈电容
  • 开关速度快
  • 低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 快速开关

应用领域

  • 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关
  • 这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器和开关模式电源。

数据手册PDF