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BRU20N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- TO-3P 塑封封装 N 沟MOS 场效应管。
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRU20N50
- 商品编号
- C328553
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
TO-3P 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
~~- 低栅极电荷-快速开关能力-规定雪崩能量-增强的 dv/dt 能力
应用领域
- 适用于高电压、高速功率开关应用，如高效率开关模式电源、有源功率因数校正。