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BRD70N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:62.8A

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描述
TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRD70N03
商品编号
C328559
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)62.8A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)62.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
输入电容(Ciss)1.333nF
反向传输电容(Crss)218pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)600pF

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 塑料封装。

商品特性

  • 采用具有低导通电阻的超高密度设计
  • 坚固可靠
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关
  • 这些器件非常适合高效开关式 DC/DC 转换器和开关电源。

数据手册PDF