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FD2105M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 3V~21V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间 | 30ns | |
| 下降时间 | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
FD2105 是一款半桥栅极驱动电路集成电路芯片，专为高压、高速驱动N 型功率MOSFET和IGBT 设计，可在高达 +40V 电压下工作。 FD2105 内置VCC 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。 FD2105 集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO 输出。 FD2105 死区时间可调，通过调整外接电阻控制死区时间。
商品特性
- 悬浮绝对电压 +40V
- 电源电压工作范围：3V~21V
- 输出电流：+1.2A/-1.8A
- 3.3V/5V输入逻辑兼容
- VCC欠压保护（UVLO）
- 死区时间可调
- 集成使能关断功能
- 高端输出与输入同相，低端输出与输入反相
应用领域
- 半桥/全桥转换器移动电源
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