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FMD5N50E5
N沟道,电流:5A,耐压:500V
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- 描述
- FMD5N50E5，硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- Fortior Tech(峰岹)
- 商品型号
- FMD5N50E5
- 商品编号
- C328454
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速体二极管可消除零电压开关（ZVS）应用中对外部二极管的需求。
- 较低的栅极电荷简化了驱动要求。
- 较高的栅极电压阈值提高了抗噪声能力。
应用领域
- 电机控制应用
- 不间断电源
- 零电压开关开关电源（SMPS）