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PESDUC3FD3V3U实物图
  • PESDUC3FD3V3U商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESDUC3FD3V3U

单向 3.3V截止

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描述
PESDUC3FD3V3U静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流;与MLV相比,在板级保护方面具有出色的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC3FD3V3U可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。PESDUC3FD3V3U采用DFN1006 - 3L封装,工作电压为3.3V。它为设计师提供了灵活性,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外,在电路板空间有限的应用中,它可以灵活地分布在电路板各处。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PESDUC3FD3V3U
商品编号
C2875801
商品封装
DFN1006-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.01172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压11V
峰值脉冲功率(Ppp)40W@8/20us
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数双路
类型ESD
Cj-结电容0.42pF

商品概述

PESDUC3FD3V3U静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流;与MLV相比,在板级保护方面具有出色的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。PESDUC3FD3V3U可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。PESDUC3FD3V3U采用DFN1006 - 3L封装,工作电压为3.3V。它为设计师提供了灵活性,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外,在电路板空间有限的应用中,它可以灵活地分布在电路板各处。

商品特性

  • 超低电容0.5pF
  • DFN1006 - 3L封装
  • 可替代MLV(0402)
  • 单向配置
  • 典型响应时间<1 ns
  • 保护一条I/O或电源线
  • 低钳位电压
  • 符合RoHS标准
  • 数据线瞬态保护,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)±15kV(空气)、±12kV(接触)

应用领域

  • 手机及配件
  • 个人数字助理(PDA)
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器
  • 无绳电话
  • 数码相机
  • 外围设备
  • MP3播放器

数据手册PDF