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PNMT60V02E
耐压:60V 电流:0.18A
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- 描述
- PNMT60V02E专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNMT60V02E
- 商品编号
- C2875809
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对笔记本电脑DC/DC转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 逻辑电平/ N沟道
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 雪崩额定；dv/dt额定
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤