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PNM3FD20V1E
N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNM3FD20V1E
- 商品编号
- C2875806
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 专为高速脉冲放大器和驱动应用设计。
- 采用高密度单元设计，适用于低导通电阻（RDS(ON)）的电压控制小信号开关。
- 具备高饱和电流能力。
- 无铅且无卤素。
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