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TLV2354IDR

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描述: TLV2354 四通道低电压 LinCMOS™ 差分比较器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TLV2354IDR
商品编号: C2860974
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.47克(g)

商品参数

商品概述

TLV2354包含四个独立的低功耗比较器，专为单电源应用设计，可在低至2V的电源电压下工作，采用LinCMOS工艺设计，具有极高的输入阻抗，可直接与高阻抗源接口。输出为N沟道开漏配置，需要外接上拉电阻提供正输出电压摆幅，输出可通过连接实现正逻辑线与关系。器件内置静电放电ESD保护电路，经人体模型测试ESD等级为1000V。TLV2354Y芯片在正确组装后，特性与TLV2354相近，可对掺铝键合焊盘采用热压或超声键合，可使用导电环氧树脂或金硅预成形片安装。

商品特性

电源电压范围为2V~8V，在3V和5V条件下完成完整特性表征
3V供电条件下典型电源电流为240μA，功耗极低
共模输入电压范围包含地
典型输入阻抗可达10^12Ω，输入阻抗极高
TTL电平输入阶跃条件下典型响应时间为200ns，响应速度快
典型输入偏置电流仅为5pA，输入偏置电流极低
输出与TTL、MOS、CMOS兼容
内置ESD保护电路
不同型号对应不同工作温度范围：TLV2354I为–40℃~85℃，TLV2354M为–55℃~125℃
最大额定参数：电源电压最高8V，差分输入电压为±8V，输入电压范围为-0.3V~8V，输出电压最高8V，输入电流为±5mA，输出电流为20mA，输出对地短路持续时间无限制，存储温度范围为–65℃~150℃
D、N、PW封装引脚距离壳体1.6mm处10秒耐温最高260℃，FK、J、W封装对应位置10秒耐温最高300℃
TLV2354Y芯片典型厚度为15密耳，键合焊盘最小尺寸为4×4密耳，最高结温为150℃，尺寸公差为±10%，引脚11内部连接到芯片背面

应用领域

单电源供电比较应用场景
高阻抗源输入对接场景

	属性	参数值
	商品目录	比较器
	比较器数	四路
	输入失调电压(Vos)	5mV
	输入偏置电流(Ib)	5pA
	传播延迟(tpd)	200ns
	滞后电压(Vhys)	-

	属性	参数值
	共模抑制比(CMRR)	-
	输出类型	-
	输出模式	CMOS；MOS；TTL
	静态电流(Iq)	240uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	ESD保护