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TLV1805QDBVRQ1
具有关断功能的40V、轨至轨输入、推挽输出、高电压汽车比较器
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- 描述
- TLV1805-Q1 具有推挽输出和关断模式的汽车级高电压比较器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TLV1805QDBVRQ1
- 商品编号
- C2862164
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 单路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 0.05pA | |
| 传播延迟(tpd) | 250ns | |
| 滞后电压(Vhys) | 14mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 60dB | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 输出模式 | CMOS；TTL |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 轨到轨 | 轨到轨输入 | |
| 静态电流(Iq) | 135uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V | |
| 单电源 | 3.3V~40V | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2.5uV/℃ | |
| 输入失调电流(Ios) | 0.05pA | |
| 响应时间(tr) | 18ns |
商品概述
TLV1805-Q1 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些特性使该比较器非常适合需要在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动P沟道或N沟道MOSFET开关的栅极。
高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色，它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速将MOSFET栅极驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言，这特别有用。其他特性（如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断）使TLV1805-Q1能够灵活地处理各种应用的要求。上电复位可防止加电时产生错误输出。
TLV1805-Q1采用6引脚SOT-23封装并符合AEC-Q100标准，具有 -40°C至 +125°C的汽车1级温度范围。
商品特性
- 具有符合AEC-Q100标准的下列特性
- 器件温度等级1： -40°C至 +125°C的环境工作温度范围
- 器件HBM ESD分类等级2
- 器件CDM ESD分类等级C6
- 电源电压范围：3.3V至40V
- 低静态电流：135μA
- 高峰值电流推挽输出
- 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
- 内置迟滞：14mV
- 250ns传播延迟
- 低输入失调电压：500μv
- 关断后具有高阻态输出
- 上电复位(POR)
- SOT-23-6封装
应用领域
- 反向电流保护智能二极管控制器
- 过压、欠压和过流检测
- OR-ing MOSFET控制器
- MOSFET栅极驱动器
- 高电压振荡器
- 针对以下应用的系统监控：汽车信息娱乐系统和仪表组HEV/EV和动力总成
- 采用N沟道MOSFET的反向电流保护
- 采用P沟道MOSFET的反向电流和过压保护