温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

APG095N01G

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:100V 电流:60A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：100V, 60A。 RDS(ON) < 9.5mΩ @VGS = 10V (TYP: 8.2mΩ)。 RDS(ON) < 13mΩ @VGS = 4.5V (TYP: 11.3mΩ)。 Split Gate Trench Technology。无铅产品。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关
品牌名称: ALLPOWER(铨力)
商品型号: APG095N01G
商品编号: C2840979
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.128克(g)

商品参数

商品概述

AOD8N25和AOI8N25采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些器件可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。这些器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	9.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	63W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	41.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.122nF
	反向传输电容(Crss)	25pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	618pF