温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP15N10K
1个N沟道 耐压:100V 电流:14.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100V, 14.6A。 RDS(ON) = 100mΩ (max.) @ VGS = 10V, ID = 5A。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度法国技术。 符合RoHS标准且无卤素。应用：同步降压转换器应用
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP15N10K
- 商品编号
- C2840981
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.95 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值 (|Y_fs|) = 4.0 S（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流 (IDSS) = 10 μA（最大值）（漏源电压 (VDS) = 650 V）
- 增强型：阈值电压 (V_th) = 2.0 至 4.0 V（漏源电压 (VDS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 1 mA）
应用领域
- 开关稳压器