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AP80N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：40V, 50A。 RDS(ON) = 5.9mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 11mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAS的良好稳定性和均匀性。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP80N04G
- 商品编号
- C2840977
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.229nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT080N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS：100V
- ID（VGS = 10V时）：75A
- RDS(ON)（VGS = 10V时）：< 8mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5V时）：< 12mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源或LED驱动器中的同步整流
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制
- 电池管理系统（BMS）
- 高频电路