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AO4840E
双N沟道MOSFET,电流:6A,耐压:40V
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4840E
- 商品编号
- C2840561
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
AO6601采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器，适用于多种应用。
应用领域
-降压转换器-直流电机驱动-负载开关