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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.3nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AOD240采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss 组合,功率损耗降至最低。此外,“肖特基型”软恢复体二极管能很好地控制开关特性。
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