AOTF8N65
N沟道,电流:8A,耐压:650V
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF8N65
- 商品编号
- C2840570
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AOT8N65和AOTF8N65采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(ON)、Ciss和Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 100V/15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 125 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
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