- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AOT8N65和AOTF8N65采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(ON)、Ciss和Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 100V/15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 125 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- AOZ8902CIL
- CY8C4126AZI-S423
- RTC5641EX
- RTC7641
- 15ETYVM-3.5-02P-14-00AH
- 15ETYVM-3.5-03P-14-00AH
- 15ETYVM-3.5-04P-14-00AH
- MSA54-100K
- RB530VM-40FHTE-17
- 2SA1576U3HZGT106R
- FDL100N50F
- SPC5748GHK0AMKU6
- MEB105J100V82CL0035
- 7D471K68RV0090
- 10D471K68RV0121
- 14D471K68RV0005
- 47UF450VMHT87EC0230
- HT5320ARTZ
- MBRD20100T
- GF1E101ME110A00CE0
- KM1H470ME110A00CE0