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AOD8N25实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD8N25

1个N沟道 耐压:250V 电流:8A

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描述
采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
品牌名称
AOS
商品型号
AOD8N25
商品编号
C2840674
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.474克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))560mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.2nC@10V
输入电容(Ciss)306pF
反向传输电容(Crss)3.2pF
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)51pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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