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G20P08K
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:80V 电流:20A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20P08K
- 商品编号
- C2840769
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS -80V
- ID(VGS = -10 V时) -20A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时) < 62 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 70 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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