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GT080N10D5
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT080N10D5
- 商品编号
- C2840759
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT080N10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:100V
- ID(VGS = 10V时):75A
- RDS(ON)(VGS = 10V时):< 8mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5V时):< 12mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源或LED驱动器中的同步整流
- 不间断电源(UPS)
- 电机控制
- 电池管理系统(BMS)
- 高频电路