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G18P03S
P沟道沟槽功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- G18P03S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -5V 的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G18P03S
- 商品编号
- C2840760
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.57nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AOD240采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on) 和 Crss 组合，功率损耗降至最低。此外，“肖特基型”软恢复体二极管能很好地控制开关特性。