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4435
P沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 描述
- 4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 4435
- 商品编号
- C2840765
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
优惠活动
购买数量
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