温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G16P03D3
1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G16P03D3
- 商品编号
- C2840767
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 342pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- G20P08K
- SCT2650STER
- VZH470M1HTR-0607
- DB2CM-5.08-11P-GN
- DB2CM-5.08-10P-GN
- DB2CM-5.08-8P-GN
- DB2CM-5.08-7P-GN
- DB2CM-5.08-6P-GN
- DB2CM-5.08-5P-GN
- DB2CM-5.08-4P-GN
- DB2CM-5.08-3P-GN
- DB2CM-5.08-2P-GN
- ABS210L
- CSP-6R0L474R-TW
- CSP-6R0L504R-TW
- CSP-6R0L155R-TW
- CSP-6R0L255R-TW
- CSP-6R0L505R-TWX
- CSP-6R0L505R-TW
- CSP-6R0L755R-TW
- C372J334J6SC000