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FDL100N50F
N沟道,电流:100A,耐压:500V
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDL100N50F
- 商品编号
- C2840585
- 商品封装
- TO-264-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 238nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MEE7816S是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的EMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及需要在极小外形尺寸表面贴装封装中实现低在线功率损耗的应用。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 50A时,RDS(on) = 43mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值238nC)
- 低Crss(典型值64pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-不间断电源-交直流电源