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AON6414AL
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于开关电源和通用应用中的高端开关。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6414AL
- 商品编号
- C2840568
- 商品封装
- PDFN-8(5.9x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
80N03B TO-251/TO-252采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。它可用于各种应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源