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STB6NK60ZT4
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
- 描述
- SuperMESH系列通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保在最苛刻的应用中具备出色的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB6NK60ZT4
- 商品编号
- C2832807
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 开关应用