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STI20N65M5
N沟道 650V Power MOSFET
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- 描述
- N沟道650 V、0.160 Ohm典型值、18 A MDmesh M5功率MOSFET，I2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI20N65M5
- 商品编号
- C2832819
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.434nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
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