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STP100N8F6
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
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- 描述
- 该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻（RDS(on)）。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP100N8F6
- 商品编号
- C2832821
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.955nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些高压器件是采用SuperMESH™技术开发的齐纳保护型N沟道功率MOSFET，该技术是对成熟的PowerMESH™技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还针对最严苛的应用场景，具备高水平的dv/dt耐受能力。
商品特性
- 极高的dv/dt耐受能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用