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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESHTM布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用