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STW12NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:10.5A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW12NK80Z
- 商品编号
- C2832836
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造可靠性
应用领域
- 开关应用
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