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STD3LN80K5
N通道,电流:2A,耐压:800V
- 描述
- N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD3LN80K5
- 商品编号
- C2832808
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 102pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
WSP4407是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4407符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携个人电脑（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关