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STD4NK50ZT4
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
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- 描述
- 这些高压器件是采用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，是成熟的PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD4NK50ZT4
- 商品编号
- C2832809
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用独特的STripFET™工艺实现的这款功率MOSFET系列，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作电信和计算机应用中先进的高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用。
商品特性
- 极高的dv/dt耐受能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用