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MX25L6435EMI-10G

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L6435EMI-10G
商品编号: C2803041
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.833克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	2.7V~3.6V
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护

商品概述

MX25L6435E是64Mb的串行闪存，内部配置为8388608×8。当处于双I/O或四I/O模式时

商品特性

兼容串行外设接口——模式0和模式3
67108864×1位结构或33554432×2位（双I/O模式）结构或16777216×4位（四I/O模式）结构，有2048个大小为4K字节的相等扇区
任何扇区均可单独擦除
有256个大小为32K字节的相等块
任何块均可单独擦除
有128个大小为64K字节的相等块
任何块均可单独擦除
电源操作：读、擦除和编程操作电压为2.7~3.6伏
从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
高性能，VCC = 2.7~3.6V
正常读取：50MHz
快速读取：1 I/O：带8个空周期时为104MHz；2 I/O：2READ指令带4个空周期时为86MHz；4 I/O：最高可达104MHz；4 I/O读取操作的空周期数可配置
快速编程时间：每页面（每页256字节）典型值为1.4ms，最大值为5ms
字节编程时间：典型值为12us
连续编程模式（字编程模式下自动增加地址）
快速擦除时间：每扇区（每扇区4K字节）典型值为60ms；每块（每块64K字节）典型值为0.7s；每芯片典型值为50s
低功耗：104MHz时最大读取电流为19mA，33MHz时最大读取电流为10mA；最大编程电流为25mA；最大擦除电流为25mA；最大待机电流为50μA；最大深度掉电电流为20μA
典型擦除/编程循环次数为100000次
数据保留时间为20年
输入数据格式：1字节命令代码
高级安全特性：BP0 - BP3块组保护；当OTP WPSEL = 1时可灵活进行单块保护；额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证所选扇区的数据；通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动控制编程脉冲宽度（任何要编程的页面首先应处于擦除状态）
状态寄存器特性
电子标识：JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID；RES命令用于获取1字节设备ID；REMS、REMS2、REMS4命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
SCLK输入：串行时钟输入
SI/SIO0：双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输入或串行数据输入/输出
SO/SIO1：双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输出或串行数据输入/输出
WP#/SIO2：硬件写保护或四I/O模式下的串行数据输入/输出
HOLD#/SIO3：在不取消选择设备的情况下暂停设备操作或四I/O模式下的串行数据输入/输出
封装：16引脚SOP（300mil）；8引脚SOP（200mil）；8引脚WSON（6×5mm）
所有设备均符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz