- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX29F040CQI-70GTR
4M位单电压闪存存储器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：单电源操作，读写和擦除操作电压为4.5至5.5伏。 524288 x 8。 扇区结构：64K字节x 8。 闩锁保护，从-1V到Vcc + 1V可达100mA
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX29F040CQI-70GTR
- 商品编号
- C2803060
- 商品封装
- PLCC-32(14.1x11.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 待机电流 | 5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 9us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 上电复位 |
商品特性
- 单电源供电操作
- 读取、擦除和编程操作电压范围为4.5V至5.5V
- 仅512K x 8位组织
- 扇区结构为64K字节 x 8
- 抗闩锁保护，电流达100mA，电压范围为-1V至Vcc + 1V
- 符合JEDEC标准
- 引脚排列和软件与单电源闪存兼容
- 高性能
- 访问时间：70/90ns
- 编程时间：9us（典型值）
- 擦除时间：0.7s/扇区，4s/芯片（典型值）
- 低功耗
- 低有效读取电流：30mA（最大值，5MHz条件下）
- 低待机电流：1uA（典型值）
- 最小擦除/编程周期为100,000次
- 数据保持期为20年
- 擦除暂停/擦除恢复功能
- 暂停扇区擦除操作，以便从非擦除扇区读取数据或向其编程数据
- 状态回复
- 数据轮询和翻转位提供编程与擦除操作完成的检测
- 32引脚PLCC封装
- 32引脚TSOP封装
- 所有器件均符合RoHS标准
- MX29F040CTI-70GTR
- MX29F200CBTC-70G
- MX29F200CBTI-70G
- MX29F200CBTI-70GTR
- MX29F200CTTI-70G
- MX29F400CBTI-70G
- MX29F400CBTI-70GTR
- MX29F400CTTC-70G
- MX29F400CTTI-70G
- MX29F400CTTI-70GTR
- MX29F400CTTI-90G
- MX29F800CBTI-70G
- MX29F800CBTI-70GTR
- MX29F800CBXEI-70G
- MX29F800CTTI-70G
- MX29GL128EDT2I-11G
- MX29GL128EDXFI-11G
- MX29GL128EHT2I-90G
- MX29GL128EHT2I-90GTR
- MX29GL128EHXCI-90G
- MX29GL128EHXFI-90G
- MX29F040CTI-70GTR
- MX29F200CBTC-70G
- MX29F200CBTI-70G
- MX29F200CBTI-70GTR
- MX29F200CTTI-70G
- MX29F400CBTI-70G
- MX29F400CBTI-70GTR
- MX29F400CTTC-70G
- MX29F400CTTI-70G
- MX29F400CTTI-70GTR
- MX29F400CTTI-90G
- MX29F800CBTI-70G
- MX29F800CBTI-70GTR
- MX29F800CBXEI-70G
- MX29F800CTTI-70G
- MX29GL128EDT2I-11G
- MX29GL128EDXFI-11G
- MX29GL128EHT2I-90G
- MX29GL128EHT2I-90GTR
- MX29GL128EHXCI-90G
- MX29GL128EHXFI-90G