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MX25L6435EZNI-10G实物图
  • MX25L6435EZNI-10G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25L6435EZNI-10G

MX25L6435EZNI-10G

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25L6435EZNI-10G
商品编号
C2803043
商品封装
WSON-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量64Mbit
时钟频率(fc)104MHz
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

MX25L6435E是64Mb的串行闪存,内部配置为8388608×8。当处于双I/O或四I/O模式时

商品特性

  • 兼容串行外设接口——模式0和模式3
  • 67108864×1位结构或33554432×2位(双I/O模式)结构或16777216×4位(四I/O模式)结构,有2048个大小为4K字节的相等扇区
  • 任何扇区均可单独擦除
  • 有256个大小为32K字节的相等块
  • 任何块均可单独擦除
  • 有128个大小为64K字节的相等块
  • 任何块均可单独擦除
  • 电源操作:读、擦除和编程操作电压为2.7~3.6伏
  • 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
  • 高性能,VCC = 2.7~3.6V
  • 正常读取:50MHz
  • 快速读取:1 I/O:带8个空周期时为104MHz;2 I/O:2READ指令带4个空周期时为86MHz;4 I/O:最高可达104MHz;4 I/O读取操作的空周期数可配置
  • 快速编程时间:每页面(每页256字节)典型值为1.4ms,最大值为5ms
  • 字节编程时间:典型值为12us
  • 连续编程模式(字编程模式下自动增加地址)
  • 快速擦除时间:每扇区(每扇区4K字节)典型值为60ms;每块(每块64K字节)典型值为0.7s;每芯片典型值为50s
  • 低功耗:104MHz时最大读取电流为19mA,33MHz时最大读取电流为10mA;最大编程电流为25mA;最大擦除电流为25mA;最大待机电流为50μA;最大深度掉电电流为20μA
  • 典型擦除/编程循环次数为100000次
  • 数据保留时间为20年
  • 输入数据格式:1字节命令代码
  • 高级安全特性:BP0 - BP3块组保护;当OTP WPSEL = 1时可灵活进行单块保护;额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
  • 自动擦除和自动编程算法:自动擦除并验证所选扇区的数据;通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据,该算法自动控制编程脉冲宽度(任何要编程的页面首先应处于擦除状态)
  • 状态寄存器特性
  • 电子标识:JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID;RES命令用于获取1字节设备ID;REMS、REMS2、REMS4命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • SCLK输入:串行时钟输入
  • SI/SIO0:双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输入或串行数据输入/输出
  • SO/SIO1:双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输出或串行数据输入/输出
  • WP#/SIO2:硬件写保护或四I/O模式下的串行数据输入/输出
  • HOLD#/SIO3:在不取消选择设备的情况下暂停设备操作或四I/O模式下的串行数据输入/输出
  • 封装:16引脚SOP(300mil);8引脚SOP(200mil);8引脚WSON(6×5mm)
  • 所有设备均符合RoHS标准

数据手册PDF