MX25V8035FZNITR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 9uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
支持串行外设接口——模式0和模式3,具有8,388,608 x 1位、4,194,304 x 2位(双I/O模式)或2,097,152 x 4位(四I/O模式)的存储结构。包含多个4KB扇区或32KB/64KB块,每个块均可独立擦除。采用单电源供电,读、擦除和编程操作电压范围为2.3V-3.6V。具备抗闩锁保护,在-1V至Vcc+1V范围内可承受100mA电流。
商品特性
- 读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V
- 支持ID和安全OTP
- 支持多I/O接口——单I/O、双I/O和四I/O
- 支持编程挂起/恢复与擦除挂起/恢复
- 支持串行外设接口——模式0和模式3
- 8,388,608 x 1位、4,194,304 x 2位或2,097,152 x 4位存储结构
- 包含4KB扇区或32KB/64KB块,每个块可独立擦除
- 单电源供电
- 具备抗闩锁保护,在-1V至Vcc+1V范围内可承受100mA电流
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