MX25V512EZUI-13GTR
MX25V512EZUI-13GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V512EZUI-13GTR
- 商品编号
- C2803046
- 商品封装
- USON-8(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.35V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 1ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 1s | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
MX25V512E 是一款 CMOS 524,288 位串行闪存,内部配置为 65,536×8。该器件具备串行外设接口和软件协议,可在简单的 3 线总线上运行。三条总线信号分别是时钟输入、串行数据输入和串行数据输出。CS# 输入使能对器件的串行访问。MX25V512E 支持对整个芯片进行顺序读取操作。在发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令以页为单位执行,擦除命令以芯片或扇区为单位执行。
商品特性
- 支持串行外设接口模式 0 和模式 3
- 524,288×1 位或 262,144×2 位结构
- 16 个等大的 4K 字节扇区,每个扇区可单独擦除
- 单电源操作,读、擦除和编程电压为 2.35V 至 3.6V
- 闩锁保护达 100mA,电压范围从 -1V 至 Vcc+1V
- 高性能:快速访问时间,串行时钟达 75MHz;双输出模式串行时钟达 70MHz
- 快速编程时间:典型值 0.6ms,最大值 1ms/页;字节编程时间 9us
- 快速擦除时间:典型值 40ms/扇区;典型值 0.5s,最大值 1s/芯片
- 低功耗:75MHz 下最大读电流 12mA,33MHz 下最大读电流 4mA;典型编程电流 15mA;典型扇区擦除电流 9mA;典型待机电流 15uA;典型深度掉电模式电流 2uA
- 最小 100,000 次擦写/编程周期
- 20 年数据保持期
- 输入数据格式为 1 字节命令码
- 块锁定保护:BP0~BP1 状态位定义受软件保护区域的大小,防止编程和擦除指令
- 自动擦除和自动编程算法:自动擦除并验证选定扇区数据;通过内部算法自动编程并验证选定页数据
- 状态寄存器功能
- 电子识别:符合 JEDEC 标准的 2 字节器件 ID;RES 命令返回 1 字节器件 ID
- 硬件特性:SCLK 串行时钟输入;SI/SIO0 串行数据输入或双输出模式串行数据输出;SO/SIO1 串行数据输出或双输出模式串行数据输出;WP# 引脚提供硬件写保护;HOLD# 引脚可暂停芯片操作而不取消选择
- 封装:8-USON (2×3mm)、8 引脚 TSSOP (173mil)、8 引脚 SOP (150mil)
- 所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素
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