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MX25V8006EM1I-13GTR引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25V8006EM1I-13GTR

MX25V8006EM1I-13GTR

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25V8006EM1I-13GTR
商品编号
C2803048
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)75MHz
工作电压2.35V~3.6V
待机电流25uA
属性参数值
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)3ms
块擦除时间(tBE)2s@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25V8006E是一款8兆位串行闪存芯片,采用先进的CMOS浮栅工艺技术制造。该器件通过标准串行外设接口(SPI)进行访问,支持时钟频率高达133MHz,并兼容单路、双路和四路I/O SPI模式,以实现快速数据传输。其设计旨在实现低功耗和高性能,适用于需要可靠非易失性存储的广泛应用。该芯片提供灵活的擦除和编程功能,包括扇区擦除、块擦除和整片擦除,以及页编程操作。此外,它还集成了写保护、安全一次性可编程(OTP)区域和深度掉电模式等功能,以增强数据安全性和电源管理。

商品特性

  • 8兆位容量,组织为1,048,576字节
  • 支持标准、双路和四路SPI接口
  • 时钟频率最高支持133MHz
  • 单电源供电,电压范围为2.3V至3.6V
  • 低功耗特性:深度掉电模式下电流典型值为1μA
  • 灵活的擦除架构:支持4KB扇区擦除、32KB/64KB块擦除和整片擦除
  • 页编程操作,每页256字节
  • 快速读取操作,支持标准读取和高速读取模式
  • 写保护机制,通过状态寄存器控制
  • 包含512位安全一次性可编程(OTP)区域
  • 提供电子签名和制造商/设备ID读取功能
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)读取
  • 工业级温度范围:-40°C至85°C
  • 符合RoHS标准,提供多种封装选项

数据手册PDF