MX25V8006EM1I-13GTR
MX25V8006EM1I-13GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V8006EM1I-13GTR
- 商品编号
- C2803048
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.35V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 2s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
MX25V8006E是一款8兆位串行闪存芯片,采用先进的CMOS浮栅工艺技术制造。该器件通过标准串行外设接口(SPI)进行访问,支持时钟频率高达133MHz,并兼容单路、双路和四路I/O SPI模式,以实现快速数据传输。其设计旨在实现低功耗和高性能,适用于需要可靠非易失性存储的广泛应用。该芯片提供灵活的擦除和编程功能,包括扇区擦除、块擦除和整片擦除,以及页编程操作。此外,它还集成了写保护、安全一次性可编程(OTP)区域和深度掉电模式等功能,以增强数据安全性和电源管理。
商品特性
- 8兆位容量,组织为1,048,576字节
- 支持标准、双路和四路SPI接口
- 时钟频率最高支持133MHz
- 单电源供电,电压范围为2.3V至3.6V
- 低功耗特性:深度掉电模式下电流典型值为1μA
- 灵活的擦除架构:支持4KB扇区擦除、32KB/64KB块擦除和整片擦除
- 页编程操作,每页256字节
- 快速读取操作,支持标准读取和高速读取模式
- 写保护机制,通过状态寄存器控制
- 包含512位安全一次性可编程(OTP)区域
- 提供电子签名和制造商/设备ID读取功能
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)读取
- 工业级温度范围:-40°C至85°C
- 符合RoHS标准,提供多种封装选项
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