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HYG072N10LS1C2
单N沟道,电流:80A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG072N10LS1C2
- 商品编号
- C2763409
- 商品封装
- TDSON-8(5.2x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅 - 源保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT3）
应用领域
- 开关应用