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HYG045N03LA1D
单N沟道,电流:80A,耐压:30V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045N03LA1D
- 商品编号
- C2763406
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.156nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- 低电压驱动（2.5V驱动）。
应用领域
- 开关