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SGT50T65FD1PN
650V 100A
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- 描述
- 采用最新的第四代场截止（FieldStopIV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗。可应用于电焊机、UPS、SMPS以及PFC等领域。
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SGT50T65FD1PN
- 商品编号
- C2761787
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 输出电容(Coes) | 100pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 33ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF |